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NE650103M-A
- Modelo do Produto:
- NE650103M-A
- Fabricante:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Descrição:
- FET RF 15V 2.3GHZ 3M
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 15097 Pieces
- Ficha de dados:
- NE650103M-A.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para NE650103M-A, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para NE650103M-A por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - Teste: | 10V |
|---|---|
| Tensão - M: | 15V |
| Tipo transistor: | MESFET |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 3M |
| Série: | - |
| Potência: | 40dBm |
| Embalagem: | Tray |
| Caixa / Gabinete: | SOT-445 Variant |
| Fator de ruído: | - |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | NE650103M-A |
| Ganho: | 11dB |
| Freqüência: | 2.3GHz |
| Descrição expandida: | RF Mosfet MESFET 10V 1.5A 2.3GHz 11dB 40dBm 3M |
| Descrição: | FET RF 15V 2.3GHZ 3M |
| Potência nominal: | 5A |
| Atual - Teste: | 1.5A |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para NE650103M-A
| Imagem | Modelo do Produto | Fabricantes | Descrição | Visão |
|---|---|---|---|---|
 |
VRF157FLMP | Microsemi Corporation | RF MOSFET N-CHANNEL 50V 4SMD | inquérito |
 |
BF909WR,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 7V 40MA SOT343 | inquérito |
 |
BLF8G22LS-160BV:11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1120B | inquérito |
 |
MRFG35010AR5 | NXP USA Inc. | FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF | inquérito |
 |
BF556B,215 | NXP USA Inc. | JFET N-CH 30V 13MA SOT23 | inquérito |
|
MMRF1018NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 860MHZ | inquérito |
 |
PTFA190451EV4XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 45W H-36265-2 | inquérito |
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