NGTB05N60R2DT4G
NGTB05N60R2DT4G
Modelo do Produto:
NGTB05N60R2DT4G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
IGBT 5A 600V DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18420 Pieces
Ficha de dados:
NGTB05N60R2DT4G.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):600V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2V @ 15V, 5A
Condição de teste:300V, 5A, 30 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:44ns/82ns
Alternando Energia:188µJ (on), 60µJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DPAK
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):70ns
Power - Max:56W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:NGTB05N60R2DT4GOSTR
Temperatura de operação:175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:NGTB05N60R2DT4G
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:-
portão de carga:30nC
Descrição expandida:IGBT 600V 16A 56W Surface Mount DPAK
Descrição:IGBT 5A 600V DPAK
Atual - Collector Pulsada (ICM):20A
Atual - Collector (Ic) (Max):16A
Email:[email protected]

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