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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - IGBTs - Single > NGTB60N60SWG
NGTB60N60SWG
NGTB60N60SWG
Modelo do Produto:
NGTB60N60SWG
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
IGBT 600V 120A 298W TO247
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18149 Pieces
Ficha de dados:
NGTB60N60SWG.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):600V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.5V @ 15V, 60A
Condição de teste:400V, 60A, 10 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:87ns/180ns
Alternando Energia:1.41mJ (on), 600µJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):76ns
Power - Max:298W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Outros nomes:NGTB60N60SWGOS
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:NGTB60N60SWG
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:Trench Field Stop
portão de carga:173nC
Descrição expandida:IGBT Trench Field Stop 600V 120A 298W Through Hole TO-247
Descrição:IGBT 600V 120A 298W TO247
Atual - Collector Pulsada (ICM):240A
Atual - Collector (Ic) (Max):120A
Email:[email protected]

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Imagem Modelo do Produto Fabricantes Descrição Visão
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