NGTB75N65FL2WG
NGTB75N65FL2WG
Modelo do Produto:
NGTB75N65FL2WG
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
IGBT 600V 75A TO247
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14155 Pieces
Ficha de dados:
NGTB75N65FL2WG.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):650V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2V @ 15V, 75A
Condição de teste:400V, 75A, 10 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:110ns/270ns
Alternando Energia:1.5mJ (on), 1mJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):80ns
Power - Max:595W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:29 Weeks
Número de peça do fabricante:NGTB75N65FL2WG
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:Trench Field Stop
portão de carga:310nC
Descrição expandida:IGBT Trench Field Stop 650V 100A 595W Through Hole TO-247
Descrição:IGBT 600V 75A TO247
Atual - Collector Pulsada (ICM):200A
Atual - Collector (Ic) (Max):100A
Email:[email protected]

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