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NJVBDX53C
- Modelo do Produto:
- NJVBDX53C
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220AB
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Contém chumbo / RoHS não compatível
- Quantidade disponível:
- 13705 Pieces
- Ficha de dados:
- NJVBDX53C.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para NJVBDX53C, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para NJVBDX53C por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 100V |
|---|---|
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 2V @ 12mA, 3A |
| Tipo transistor: | NPN - Darlington |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-220AB |
| Série: | - |
| Power - Max: | 65W |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-220-3 |
| Temperatura de operação: | - |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Número de peça do fabricante: | NJVBDX53C |
| Frequência - Transição: | - |
| Descrição expandida: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 65W Through Hole TO-220AB |
| Descrição: | TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220AB |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 750 @ 3A, 3V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 500µA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 8A |
| Email: | [email protected] |
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