NJVBUB323ZT4G
NJVBUB323ZT4G
Modelo do Produto:
NJVBUB323ZT4G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16458 Pieces
Ficha de dados:
NJVBUB323ZT4G.pdf

Introdução

BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para NJVBUB323ZT4G, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para NJVBUB323ZT4G por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Comprar NJVBUB323ZT4G com BYCHPS
Compre com garantia

Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):350V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:1.7V @ 250mA, 10A
Tipo transistor:NPN - Darlington
Embalagem do dispositivo fornecedor:D2PAK-3
Série:-
Power - Max:150W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de operação:-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:28 Weeks
Número de peça do fabricante:NJVBUB323ZT4G
Frequência - Transição:2MHz
Descrição expandida:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350V 10A 2MHz 150W Surface Mount D2PAK-3
Descrição:TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:500 @ 5A, 4.6V
Atual - Collector Cutoff (Max):100µA
Atual - Collector (Ic) (Max):10A
Email:[email protected]

Pedido de Orçamento Rápido

Modelo do Produto
Quantidade
Empresa
O email
Telefone
Observações