NLASB3157MTR2G
NLASB3157MTR2G
Modelo do Produto:
NLASB3157MTR2G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
IC SWITCH SPDT 6WDFN
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14607 Pieces
Ficha de dados:
NLASB3157MTR2G.pdf

Introdução

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Especificações

Alimentação de tensão, simples (V +):1.65 V ~ 5.5 V
Tensão de alimentação, Dual (V ±):-
Tempo de comutação (Ton, Toff) (máx.):5.2ns, 3.5ns
Circuito de comutação:SPDT
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-WDFN (1.2x1.0)
Série:-
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-WFDFN
Outros nomes:NLASB3157MTR2G-ND
NLASB3157MTR2GOSTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 125°C (TA)
Resistência no estado (máx.):7 Ohm
Número de circuitos:1
Circuito Multiplexador / Demultiplexor:2:1
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:NLASB3157MTR2G
Descrição expandida:1 Circuit IC Switch 2:1 7 Ohm 6-WDFN (1.2x1.0)
Descrição:IC SWITCH SPDT 6WDFN
Corrente - Vazamento (IS (desligado)) (Máx.):100nA
Crosstalk:-54dB @ 10MHz
Injeção de Carga:7pC
Correspondência canal a canal (ΔRon):150 mOhm
Capacitação do canal (CS (desligado), CD (desligado)):6.5pF
-3db Bandwidth:250MHz
Email:[email protected]

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