NRVHPM120T3G
NRVHPM120T3G
Modelo do Produto:
NRVHPM120T3G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
DIODE GEN PURP 200V 1A POWERMITE
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18394 Pieces
Ficha de dados:
NRVHPM120T3G.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:1V @ 1A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):200V
Embalagem do dispositivo fornecedor:Powermite
Velocidade:Fast Recovery = 200mA (Io)
Série:Automotive, AEC-Q101
Inversa de tempo de recuperação (trr):25ns
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:DO-216AA
Temperatura de Operação - Junção:-65°C ~ 175°C
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:7 Weeks
Número de peça do fabricante:NRVHPM120T3G
Descrição expandida:Diode Standard 200V 1A Surface Mount Powermite
Tipo Diode:Standard
Descrição:DIODE GEN PURP 200V 1A POWERMITE
Atual - dispersão reversa @ Vr:500nA @ 200V
Atual - rectificada média (Io):1A
Capacitância @ Vr, F:-
Email:[email protected]

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