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NSVMMBT6517LT1G
- Modelo do Produto:
- NSVMMBT6517LT1G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- TRANS NPN 350V 0.1A SOT23
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 19437 Pieces
- Ficha de dados:
- NSVMMBT6517LT1G.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para NSVMMBT6517LT1G, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para NSVMMBT6517LT1G por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 350V |
|---|---|
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 5mA, 50mA |
| Tipo transistor: | NPN |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Série: | - |
| Power - Max: | 225mW |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | NSVMMBT6517LT1G |
| Frequência - Transição: | 200MHz |
| Descrição expandida: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 100mA 200MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| Descrição: | TRANS NPN 350V 0.1A SOT23 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 20 @ 50mA, 10V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 50nA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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