NTB18N06LT4G
NTB18N06LT4G
Modelo do Produto:
NTB18N06LT4G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14359 Pieces
Ficha de dados:
NTB18N06LT4G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D2PAK
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:100 mOhm @ 7.5A, 5V
Dissipação de energia (Max):48.4W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:NTB18N06LT4GOS
NTB18N06LT4GOS-ND
NTB18N06LT4GOSTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:NTB18N06LT4G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:440pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 15A (Tc) 48.4W (Tc) Surface Mount D2PAK
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:15A (Tc)
Email:[email protected]

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