NTB65N02RT4
NTB65N02RT4
Modelo do Produto:
NTB65N02RT4
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade disponível:
19600 Pieces
Ficha de dados:
NTB65N02RT4.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D2PAK
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:8.2 mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.04W (Ta), 62.5W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:NTB65N02RT4OSTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:NTB65N02RT4
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1330pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:9.5nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 25V 65A (Tc) 1.04W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount D2PAK
Escorra a tensão de fonte (Vdss):25V
Descrição:MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:65A (Tc)
Email:[email protected]

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