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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > NTD18N06L-1G
NTD18N06L-1G
NTD18N06L-1G
Modelo do Produto:
NTD18N06L-1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15178 Pieces
Ficha de dados:
NTD18N06L-1G.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:I-Pak
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:65 mOhm @ 9A, 5V
Dissipação de energia (Max):2.1W (Ta), 55W (Tj)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:NTD18N06L-1G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:675pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 18A (Ta) 2.1W (Ta), 55W (Tj) Through Hole I-Pak
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:18A (Ta)
Email:[email protected]

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