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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > NTD20N06T4G
NTD20N06T4G
NTD20N06T4G
Modelo do Produto:
NTD20N06T4G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13535 Pieces
Ficha de dados:
NTD20N06T4G.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DPAK
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:46 mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.88W (Ta), 60W (Tj)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:NTD20N06T4GOS
NTD20N06T4GOS-ND
NTD20N06T4GOSTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:17 Weeks
Número de peça do fabricante:NTD20N06T4G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1015pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 20A (Ta) 1.88W (Ta), 60W (Tj) Surface Mount DPAK
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:20A (Ta)
Email:[email protected]

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