NTD25P03L1G
NTD25P03L1G
Modelo do Produto:
NTD25P03L1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 25A IPAK3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19732 Pieces
Ficha de dados:
NTD25P03L1G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:I-Pak
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:80 mOhm @ 25A, 5V
Dissipação de energia (Max):75W (Tj)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Outros nomes:NTD25P03L1GOS
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:NTD25P03L1G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1260pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 30V 25A (Ta) 75W (Tj) Through Hole I-Pak
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET P-CH 30V 25A IPAK3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:25A (Ta)
Email:[email protected]

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