NTD32N06LT4G
NTD32N06LT4G
Modelo do Produto:
NTD32N06LT4G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12880 Pieces
Ficha de dados:
NTD32N06LT4G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DPAK
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:28 mOhm @ 16A, 5V
Dissipação de energia (Max):1.5W (Ta), 93.75W (Tj)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:NTD32N06LT4GOS
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:NTD32N06LT4G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1700pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:50nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 32A (Ta) 1.5W (Ta), 93.75W (Tj) Surface Mount DPAK
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:32A (Ta)
Email:[email protected]

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