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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > NTD4815NH-35G
NTD4815NH-35G
NTD4815NH-35G
Modelo do Produto:
NTD4815NH-35G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 6.9A IPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18472 Pieces
Ficha de dados:
NTD4815NH-35G.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:I-Pak
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:15 mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-251-3 Stub Leads, IPak
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:NTD4815NH-35G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:845pF @ 12V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:6.8nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 6.9A (Ta), 35A (Tc) 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) Through Hole I-Pak
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 6.9A IPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:6.9A (Ta), 35A (Tc)
Email:[email protected]

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