Comprar NTD60N02R-1G com BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
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Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | I-Pak |
Série: | - |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 10.5 mOhm @ 20A, 10V |
Dissipação de energia (Max): | 1.25W (Ta), 58W (Tc) |
Embalagem: | Tube |
Caixa / Gabinete: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Through Hole |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de peça do fabricante: | NTD60N02R-1G |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1330pF @ 20V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 4.5V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica FET: | - |
Descrição expandida: | N-Channel 25V 8.5A (Ta), 32A (Tc) 1.25W (Ta), 58W (Tc) Through Hole I-Pak |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 25V |
Descrição: | MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 8.5A (Ta), 32A (Tc) |
Email: | [email protected] |