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NTDV18N06LT4G
- Modelo do Produto:
- NTDV18N06LT4G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 19349 Pieces
- Ficha de dados:
- NTDV18N06LT4G.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para NTDV18N06LT4G, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para NTDV18N06LT4G por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | DPAK-3 |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 65 mOhm @ 9A, 5V |
| Dissipação de energia (Max): | 2.1W (Ta), 55W (Tj) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | NTDV18N06LT4G |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 675pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 60V 18A (Ta) 2.1W (Ta), 55W (Tj) Surface Mount DPAK-3 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 60V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 18A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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