NTGS5120PT1G
Modelo do Produto:
NTGS5120PT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 60V 1.8A 6-TSOP
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17086 Pieces
Ficha de dados:
NTGS5120PT1G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-TSOP
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:111 mOhm @ 2.9A, 10V
Dissipação de energia (Max):600mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-23-6
Outros nomes:NTGS5120PT1G-ND
NTGS5120PT1GOSTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:25 Weeks
Número de peça do fabricante:NTGS5120PT1G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:942pF @ 30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:18.1nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 60V 1.8A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET P-CH 60V 1.8A 6-TSOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.8A (Ta)
Email:[email protected]

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