NTJS4160NT1G
NTJS4160NT1G
Modelo do Produto:
NTJS4160NT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88-6
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19069 Pieces
Ficha de dados:
NTJS4160NT1G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SC-88/SC70-6/SOT-363
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:60 mOhm @ 2.6A, 10V
Dissipação de energia (Max):300mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes:NTJS4160NT1G-ND
NTJS4160NT1GOSTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:NTJS4160NT1G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:230pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:2.75nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 1.8A (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88-6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.8A (Ta)
Email:[email protected]

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