NTMD4184PFR2G
Modelo do Produto:
NTMD4184PFR2G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15282 Pieces
Ficha de dados:
NTMD4184PFR2G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SOIC
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:95 mOhm @ 3A, 10V
Dissipação de energia (Max):770mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:4 Weeks
Número de peça do fabricante:NTMD4184PFR2G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:360pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:4.2nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:Schottky Diode (Isolated)
Descrição expandida:P-Channel 30V 2.3A (Ta) 770mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2.3A (Ta)
Email:[email protected]

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