NTMD6N03R2G
Modelo do Produto:
NTMD6N03R2G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14680 Pieces
Ficha de dados:
NTMD6N03R2G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SOIC
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:32 mOhm @ 6A, 10V
Power - Max:1.29W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:NTMD6N03R2GOS
NTMD6N03R2GOS-ND
NTMD6N03R2GOSTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:23 Weeks
Número de peça do fabricante:NTMD6N03R2G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:950pF @ 24V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 1.29W Surface Mount 8-SOIC
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:6A
Email:[email protected]

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