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NTMFD4C86NT3G
- Modelo do Produto:
- NTMFD4C86NT3G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 15438 Pieces
- Ficha de dados:
- NTMFD4C86NT3G.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para NTMFD4C86NT3G, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para NTMFD4C86NT3G por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-DFN (5x6) |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 5.4 mOhm @ 30A, 10V |
| Power - Max: | 1.1W |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 8-PowerTDFN |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 24 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | NTMFD4C86NT3G |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1153pF @ 15V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 22.2nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Característica FET: | Standard |
| Descrição expandida: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 11.3A, 18.1A 1.1W Surface Mount 8-DFN (5x6) |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 30V |
| Descrição: | MOSFET 2N-CH 30V 8DFN |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 11.3A, 18.1A |
| Email: | [email protected] |
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