NTMFS4119NT1G
NTMFS4119NT1G
Modelo do Produto:
NTMFS4119NT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12929 Pieces
Ficha de dados:
NTMFS4119NT1G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3.5 mOhm @ 29A, 10V
Dissipação de energia (Max):900mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN, 5 Leads
Outros nomes:NTMFS4119NT1G-ND
NTMFS4119NT1GOSTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:NTMFS4119NT1G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4800pF @ 24V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:60nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 11A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:11A (Ta)
Email:[email protected]

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