NTMFS4827NET3G
NTMFS4827NET3G
Modelo do Produto:
NTMFS4827NET3G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18291 Pieces
Ficha de dados:
NTMFS4827NET3G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:6.95 mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max):870mW (Ta), 38.5W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN, 5 Leads
Outros nomes:NTMFS4827NET3G-ND
NTMFS4827NET3GOSTR
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):3 (168 Hours)
Número de peça do fabricante:NTMFS4827NET3G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1400pF @ 12V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 8.8A (Ta), 58.5A (Tc) 870mW (Ta), 38.5W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:8.8A (Ta), 58.5A (Tc)
Email:[email protected]

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