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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > NTMFS4H013NFT1G
NTMFS4H013NFT1G
NTMFS4H013NFT1G
Modelo do Produto:
NTMFS4H013NFT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 25V 35A SO8FL
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15608 Pieces
Ficha de dados:
NTMFS4H013NFT1G.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.1V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:0.9 mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.7W (Ta), 104W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:9 Weeks
Número de peça do fabricante:NTMFS4H013NFT1G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3923pF @ 12V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:56nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 25V 43A (Ta), 269A (Tc) 2.7W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):25V
Descrição:MOSFET N-CH 25V 35A SO8FL
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:43A (Ta), 269A (Tc)
Email:[email protected]

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