NTMFS5830NLT1G
NTMFS5830NLT1G
Modelo do Produto:
NTMFS5830NLT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 28A SO-8FL
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17530 Pieces
Ficha de dados:
NTMFS5830NLT1G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.3 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.2W (Ta), 125W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN, 5 Leads
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:NTMFS5830NLT1G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5880pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:113nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 40V 28A (Ta), 172A (Tc) 3.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):40V
Descrição:MOSFET N-CH 40V 28A SO-8FL
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:28A (Ta), 172A (Tc)
Email:[email protected]

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