NTP52N10G
NTP52N10G
Modelo do Produto:
NTP52N10G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15134 Pieces
Ficha de dados:
NTP52N10G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220AB
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:30 mOhm @ 26A, 10V
Dissipação de energia (Max):214W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Outros nomes:NTP52N10GOS
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:NTP52N10G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3150pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:135nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 100V 60A (Ta) 214W (Tc) Through Hole TO-220AB
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:60A (Ta)
Email:[email protected]

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