NTP8G206NG
NTP8G206NG
Modelo do Produto:
NTP8G206NG
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 17A TO220
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13256 Pieces
Ficha de dados:
NTP8G206NG.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.6V @ 500µA
Vgs (Max):±18V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220-3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:180 mOhm @ 11A, 8V
Dissipação de energia (Max):96W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Outros nomes:NTP8G206NGOS
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:NTP8G206NG
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:760pF @ 480V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:9.3nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 17A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-220-3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):8V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V 17A TO220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:17A (Tc)
Email:[email protected]

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