NTR3162PT1G
NTR3162PT1G
Modelo do Produto:
NTR3162PT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT-23
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17093 Pieces
Ficha de dados:
NTR3162PT1G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-23-3 (TO-236)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:70 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):480mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:NTR3162PT1G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:940pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:10.3nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 20V 2.2A (Ta) 480mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT-23
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2.2A (Ta)
Email:[email protected]

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