NTTFS4H07NTWG
NTTFS4H07NTWG
Modelo do Produto:
NTTFS4H07NTWG
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 25V 18.5A U8FL
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18670 Pieces
Ficha de dados:
NTTFS4H07NTWG.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.1V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-WDFN (3.3x3.3)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:4.8 mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.64W (Ta), 33.8W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerWDFN
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:NTTFS4H07NTWG
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:771pF @ 12V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:12.4nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 25V 18.5A (Ta), 66A (Tc) 2.64W (Ta), 33.8W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):25V
Descrição:MOSFET N-CH 25V 18.5A U8FL
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:18.5A (Ta), 66A (Tc)
Email:[email protected]

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