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NTTFS5826NLTWG
- Modelo do Produto:
- NTTFS5826NLTWG
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET N-CH 60V 8A 8-WDFN
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 12849 Pieces
- Ficha de dados:
- NTTFS5826NLTWG.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para NTTFS5826NLTWG, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para NTTFS5826NLTWG por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-WDFN (3.3x3.3) |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 24 mOhm @ 7.5A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 3.1W (Ta), 19W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 8-PowerWDFN |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | NTTFS5826NLTWG |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 850pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 60V 8A (Ta) 3.1W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3) |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 60V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 60V 8A 8-WDFN |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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