NTTS2P03R2
NTTS2P03R2
Modelo do Produto:
NTTS2P03R2
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO
Status sem chumbo / Status RoHS:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade disponível:
18757 Pieces
Ficha de dados:
NTTS2P03R2.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:Micro8™
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:85 mOhm @ 2.48A, 10V
Dissipação de energia (Max):600mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Outros nomes:NTTS2P03R2OS
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:NTTS2P03R2
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:500pF @ 24V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 30V 2.1A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount Micro8™
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2.1A (Ta)
Email:[email protected]

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