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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > NVMFS4C01NT1G
NVMFS4C01NT1G
NVMFS4C01NT1G
Modelo do Produto:
NVMFS4C01NT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14670 Pieces
Ficha de dados:
NVMFS4C01NT1G.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:0.9 mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.84W (Ta), 161W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:29 Weeks
Número de peça do fabricante:NVMFS4C01NT1G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:10144pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:139nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 49A (Ta), 319A (Tc) 3.84W (Ta), 161W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:49A (Ta), 319A (Tc)
Email:[email protected]

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