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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > NVTFS5820NLTWG
NVTFS5820NLTWG
NVTFS5820NLTWG
Modelo do Produto:
NVTFS5820NLTWG
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 37A 8WDFN
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18671 Pieces
Ficha de dados:
NVTFS5820NLTWG.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-WDFN (3.3x3.3)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:11.5 mOhm @ 8.7A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.2W (Ta), 21W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerWDFN
Outros nomes:NVTFS5820NLTWG-ND
NVTFS5820NLTWGOSTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:23 Weeks
Número de peça do fabricante:NVTFS5820NLTWG
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1462pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:28nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 11A (Ta) 3.2W (Ta), 21W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N-CH 60V 37A 8WDFN
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:11A (Ta)
Email:[email protected]

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