NXPSC08650Q
Modelo do Produto:
NXPSC08650Q
Fabricante:
WeEn Semiconductors Co., Ltd
Descrição:
DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2
Quantidade disponível:
13398 Pieces
Ficha de dados:
NXPSC08650Q.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:1.7V @ 8A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):650V
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220AC
Velocidade:No Recovery Time > 500mA (Io)
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):0ns
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-2
Outros nomes:1740-1222
934068069127
Temperatura de Operação - Junção:175°C (Max)
Tipo de montagem:Through Hole
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:NXPSC08650Q
Descrição expandida:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 8A Through Hole TO-220AC
Tipo Diode:Silicon Carbide Schottky
Descrição:DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2
Atual - dispersão reversa @ Vr:230µA @ 650V
Atual - rectificada média (Io):8A
Capacitância @ Vr, F:260pF @ 1V, 1MHz
Email:[email protected]

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