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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > P2N2907AZL1G
P2N2907AZL1G
Modelo do Produto:
P2N2907AZL1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
TRANS PNP 60V 0.6A TO-92
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14868 Pieces
Ficha de dados:
P2N2907AZL1G.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):60V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:1.6V @ 50mA, 500mA
Tipo transistor:PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-92-3
Série:-
Power - Max:625mW
Embalagem:Tape & Box (TB)
Caixa / Gabinete:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:P2N2907AZL1G
Frequência - Transição:200MHz
Descrição expandida:Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 600mA 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3
Descrição:TRANS PNP 60V 0.6A TO-92
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:100 @ 150mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max):10nA
Atual - Collector (Ic) (Max):600mA
Email:[email protected]

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