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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > PBLS2002S,115
PBLS2002S,115
Modelo do Produto:
PBLS2002S,115
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrição:
TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15425 Pieces
Ficha de dados:
PBLS2002S,115.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V, 20V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
Tipo transistor:1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:-
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):4.7k
Resistor - Base (R1) (Ohms):4.7k
Power - Max:1.5W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:568-7229-2
934060278115
PBLS2002S T/R
PBLS2002S T/R-ND
PBLS2002S,115-ND
PBLS2002S115
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:PBLS2002S,115
Frequência - Transição:100MHz
Descrição expandida:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 20V 100mA, 3A 100MHz 1.5W Surface Mount 8-SO
Descrição:TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max):1µA, 100nA
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA, 3A
Email:[email protected]

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Imagem Modelo do Produto Fabricantes Descrição Visão
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PBLS2001S,115 NXP USA Inc. TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO inquérito
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