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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Arrays de transistores - Bipolar (BJT)- > PBSS4230PANP,115
PBSS4230PANP,115
PBSS4230PANP,115
Modelo do Produto:
PBSS4230PANP,115
Fabricante:
Nexperia
Descrição:
TRANS NPN/PNP 30V 2A 6HUSON
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15150 Pieces
Ficha de dados:
PBSS4230PANP,115.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):30V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:290mV @ 200mA, 2A
Tipo transistor:NPN, PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor:DFN2020-6
Série:-
Power - Max:510mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-UDFN Exposed Pad
Outros nomes:1727-1074-2
568-10202-2
568-10202-2-ND
934066885115
PBSS4230PANP
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:PBSS4230PANP,115
Frequência - Transição:120MHz
Descrição expandida:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 2A 120MHz 510mW Surface Mount DFN2020-6
Descrição:TRANS NPN/PNP 30V 2A 6HUSON
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:200 @ 1A, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):2A
Email:[email protected]

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Imagem Modelo do Produto Fabricantes Descrição Visão
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PBSS4230PAN,115 Image PBSS4230PAN,115 Nexperia USA Inc. TRANS 30V 2A 6HUSON inquérito
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