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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > PDTA115EE,115
PDTA115EE,115
PDTA115EE,115
Modelo do Produto:
PDTA115EE,115
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrição:
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18109 Pieces
Ficha de dados:
PDTA115EE,115.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:150mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:SC-75
Série:-
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):100k
Resistor - Base (R1) (Ohms):100k
Power - Max:150mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-75, SOT-416
Outros nomes:568-2106-2
934058177115
PDTA115EE T/R
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:PDTA115EE,115
Frequência - Transição:-
Descrição expandida:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 20mA 150mW Surface Mount SC-75
Descrição:TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):1µA
Atual - Collector (Ic) (Max):20mA
Email:[email protected]

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