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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > PDTC123EEF,115
PDTC123EEF,115
PDTC123EEF,115
Modelo do Produto:
PDTC123EEF,115
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrição:
TRANS PREBIAS NPN 250MW SC89
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13654 Pieces
Ficha de dados:
PDTC123EEF,115.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:150mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:SC-89
Série:-
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):2.2k
Resistor - Base (R1) (Ohms):2.2k
Power - Max:250mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-89, SOT-490
Outros nomes:568-2151-2
934058178115
PDTC123EEF T/R
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:PDTC123EEF,115
Frequência - Transição:-
Descrição expandida:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-89
Descrição:TRANS PREBIAS NPN 250MW SC89
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:30 @ 20mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):1µA
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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