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PDTD123TS,126
- Modelo do Produto:
- PDTD123TS,126
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrição:
- TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 12925 Pieces
- Ficha de dados:
- PDTD123TS,126.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para PDTD123TS,126, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para PDTD123TS,126 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 50V |
|---|---|
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Tipo transistor: | NPN - Pre-Biased |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-92-3 |
| Série: | - |
| Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms): | - |
| Resistor - Base (R1) (Ohms): | 2.2k |
| Power - Max: | 500mW |
| Embalagem: | Tape & Box (TB) |
| Caixa / Gabinete: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Outros nomes: | 934059726126 PDTD123TS AMO PDTD123TS AMO-ND |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | PDTD123TS,126 |
| Frequência - Transição: | - |
| Descrição expandida: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
| Descrição: | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 100 @ 50mA, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 500mA |
| Email: | [email protected] |
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| Imagem | Modelo do Produto | Fabricantes | Descrição | Visão |
|---|---|---|---|---|
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