PHK4NQ20T,518
Modelo do Produto:
PHK4NQ20T,518
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 4A SOT96-1
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14087 Pieces
Ficha de dados:
PHK4NQ20T,518.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:TrenchMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:130 mOhm @ 4A, 10V
Dissipação de energia (Max):6.25W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:934057303518
PHK4NQ20T /T3
PHK4NQ20T /T3-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):2 (1 Year)
Número de peça do fabricante:PHK4NQ20T,518
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1230pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:26nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 200V 4A (Tc) 6.25W (Tc) Surface Mount 8-SO
Escorra a tensão de fonte (Vdss):200V
Descrição:MOSFET N-CH 200V 4A SOT96-1
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

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