PHU108NQ03LT,127
PHU108NQ03LT,127
Modelo do Produto:
PHU108NQ03LT,127
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrição:
MOSFET N-CH 25V 75A SOT533
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19919 Pieces
Ficha de dados:
PHU108NQ03LT,127.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:I-Pak
Série:TrenchMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:6 mOhm @ 25A, 10V
Dissipação de energia (Max):187W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Outros nomes:934058325127
PHU108NQ03LT
PHU108NQ03LT-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:PHU108NQ03LT,127
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1375pF @ 12V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:16.3nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 25V 75A (Tc) 187W (Tc) Through Hole I-Pak
Escorra a tensão de fonte (Vdss):25V
Descrição:MOSFET N-CH 25V 75A SOT533
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:75A (Tc)
Email:[email protected]

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