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PHU11NQ10T,127
- Modelo do Produto:
- PHU11NQ10T,127
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrição:
- MOSFET N-CH 100V 10.9A SOT533
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 17536 Pieces
- Ficha de dados:
- PHU11NQ10T,127.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para PHU11NQ10T,127, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para PHU11NQ10T,127 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | I-Pak |
| Série: | TrenchMOS™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 180 mOhm @ 9A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 57.7W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Outros nomes: | 934056349127 PHU11NQ10T PHU11NQ10T-ND |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | PHU11NQ10T,127 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 360pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 14.7nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 100V 10.9A (Tc) 57.7W (Tc) Through Hole I-Pak |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 100V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 100V 10.9A SOT533 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 10.9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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