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PMT200EN,115
- Modelo do Produto:
- PMT200EN,115
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrição:
- MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 14616 Pieces
- Ficha de dados:
- PMT200EN,115.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para PMT200EN,115, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para PMT200EN,115 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | SOT-223 |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 235 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 800mW (Ta), 8.3W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | TO-261-4, TO-261AA |
| Outros nomes: | 934066917115 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | PMT200EN,115 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 475pF @ 80V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 10nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 100V 1.8A (Ta) 800mW (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount SOT-223 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 100V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 1.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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