PMV185XN,215
PMV185XN,215
Modelo do Produto:
PMV185XN,215
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18610 Pieces
Ficha de dados:
PMV185XN,215.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-236AB (SOT23)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:250 mOhm @ 1.1A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):325mW (Ta), 1.275W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:568-10831-2
934066753215
PMV185XN,215-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:PMV185XN,215
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:76pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:1.3nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 1.1A (Ta) 325mW (Ta), 1.275W (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.1A (Ta)
Email:[email protected]

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