PMZB200UNEYL
PMZB200UNEYL
Modelo do Produto:
PMZB200UNEYL
Fabricante:
Nexperia
Descrição:
MOSFET N-CH 30V SOT883
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15159 Pieces
Ficha de dados:
PMZB200UNEYL.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:950mV @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DFN1006B-3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:250 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:3-XFDFN
Outros nomes:1727-2327-2
568-12613-2
568-12613-2-ND
934068606315
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:PMZB200UNEYL
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:89pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:2.7nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 1.4A (Ta) 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount DFN1006B-3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V SOT883
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.4A (Ta)
Email:[email protected]

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