PSMN2R4-30YLDX
PSMN2R4-30YLDX
Modelo do Produto:
PSMN2R4-30YLDX
Fabricante:
Nexperia
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18649 Pieces
Ficha de dados:
PSMN2R4-30YLDX.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:LFPAK56, Power-SO8
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.4 mOhm @ 25A, 10V
Dissipação de energia (Max):106W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-100, SOT-669
Outros nomes:1727-1792-2
568-11375-2
568-11375-2-ND
934067965115
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:PSMN2R4-30YLDX
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2256pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:31.3nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 100A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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