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PSMN6R3-120ESQ
- Modelo do Produto:
- PSMN6R3-120ESQ
- Fabricante:
- Nexperia
- Descrição:
- MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 13855 Pieces
- Ficha de dados:
- PSMN6R3-120ESQ.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para PSMN6R3-120ESQ, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para PSMN6R3-120ESQ por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | I2PAK |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 6.7 mOhm @ 25A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 405W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Outros nomes: | 1727-1508 568-10988-5 568-10988-5-ND 934067856127 PSMN6R3-120ESQ-ND |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 16 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | PSMN6R3-120ESQ |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 11384pF @ 60V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 207.1nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 120V 70A (Tc) 405W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 120V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 70A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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